[发明专利]以氧化铝为包裹层的纳米电缆的制备方法

摘要

本发明公开了一种以氧化铝为包裹层的纳米电缆的制备方法。它是先将铝片置于酸溶液中阳极氧化4～8h，再将其置于磷酸和铬酸的混和溶液中浸泡，接着，先将其再次置于同样的酸溶液中以相同的直流电压阳极氧化6～10h，再将直流电压瞬间增大1.73倍或2倍，并继续阳极氧化至少10min，之后，先去除背面未氧化的铝，再腐蚀掉孔底部的氧化铝障碍层，得到通孔和盲孔相间的多孔氧化铝模板；然后，先用电子束蒸发法于氧化铝模板的一面蒸镀金膜，再对其使用电化学沉积法于其的通孔中电化学沉积金属或半导体；最后，将氧化铝模板置于磷酸或强碱溶液中腐蚀，制得以氧化铝为包裹层的纳米电缆。它的普适性非常好，既能制备出金属芯线、又能制得半导体芯线的纳米电缆。

主权项

一种以氧化铝为包裹层的纳米电缆的制备方法，包括二次阳极氧化法、电化学沉积法和溶液腐蚀法，其特征在于完成步骤如下：步骤1，先将铝片置于浓度为0.2～0.4M的硫酸溶液或草酸溶液中，于直流电压下阳极氧化4～8h，其中，置于硫酸溶液中阳极氧化时的直流电压为20～28V，置于草酸溶液中阳极氧化时的直流电压为28～50V，再将其置于温度为50～70℃的4～8wt％磷酸和1.6～2wt％铬酸的混和溶液中浸泡8～12h，接着，先将其再次置于同样的酸溶液中以相同的直流电压阳极氧化6～10h，再将直流电压瞬间增大1.73倍或2倍，并继续阳极氧化至少10min，之后，先用过饱和的四氯化锡溶液去除背面未氧化的铝，再用3～7wt％的磷酸溶液腐蚀掉位于孔底部的氧化铝障碍层，得到通孔和盲孔相间的多孔氧化铝模板，其中，通孔一端的孔径和盲孔的孔径均为40～60nm、通孔另一端的孔径为70～90nm；步骤2，先用电子束蒸发法于氧化铝模板大孔径的一面蒸镀50～100nm厚的金膜，再对蒸镀有金膜的氧化铝模板使用电化学沉积法于其的通孔中电化学沉积金属或半导体；步骤3，将其通孔中置有金属或半导体芯线的氧化铝模板置于浓度为3～7wt％的磷酸溶液中腐蚀60～110min，或置于浓度为3～7wt％的强碱溶液中腐蚀3～6min，制得以氧化铝为包裹层的纳米电缆。