[发明专利]多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法

摘要

本发明涉及一种用于多晶硅太阳能电池铸锭用的石英坩埚的氮化硅喷涂方法。是将一定粒度的超纯氮化硅粉末和去离子水(DI水)以一定量配比，搅拌均匀，然后在洁净腔室内用高压枪喷涂在预热过的石英坩埚内壁，经过烘箱在一定程序下烧结，在石英坩埚内壁形成了一层致密的氮化硅膜喷涂层，烘箱抽成真空后通入Ar气。这层膜能阻止高温熔融硅液与石英坩埚反应，避免出现粘埚现象；同时氮化硅膜的出现，替代了高纯石英坩埚的使用，节约了成本；还能最大程度阻止对成品电池片电性能不利的氧元素和杂质元素的混入，为电池片的质量提供了保障。

主权项

1、一种多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法，其特征在于所述方法是将一定粒度的超纯氮化硅粉末和去离子水(DI水)以一定量配比，搅拌均匀，然后在洁净腔室内用高压枪喷涂在预热过的石英坩埚内壁，经过烘箱在一定程序下烧结，在石英坩埚内壁形成了一层致密的氮化硅膜喷涂层，烘箱抽成真空后通入Ar气。坩埚在该环境下烧结，以便保持氮化硅膜喷涂层的洁净，同时防止O等杂质元素混入。所述超纯氮化硅粉末的粒度为：粉末粒度D(v，0.5)＝0.5μm，D(V，1.0)＝1.10μm，也就是氮化硅颗粒直径D≤0.5μm比率占50％，而最大颗粒直径为1.10μm。所述超纯氮化硅粉末与去离子水的质量配比为：Si3N4：去离子水＝1：4～1∶7。所述石英坩埚的预热温度为：60～70℃所述烘箱的烧结程序分为五步：第一步，第一步，常温～800℃，时间为3小时±0.5小时；第二步，800～1100℃，时间为4小时±1小时；第三步，1000℃～1200℃，恒温4小时±1小时；第四步，1100℃～800℃，时间4小时±0.5小时；第五步，开炉自然冷却。