[发明专利]表面传导场发射电子源导电膜的结构无效
| 申请号： | 200810231843.7 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101383258A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 胡文波;吴胜利;刘纯亮;张劲涛;王文江;孙永亮 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J1/304 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈翠兰 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面传导场发射电子源导电膜的结构，即电子源的导电膜由氧化钯(PdO)膜与非晶碳膜形成的多层复合膜构成，利用氧化钯膜具有的良好的电子发射稳定性及非晶碳膜具有的较低的有效功函数、大的载流子迁移率、高的击穿电压、宽的禁带宽度及高的热传导系数，以改进导电膜的电子发射性能，从而提高场发射电子源的发射电流密度及电子发射率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 传导 发射 电子 导电 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种表面传导场发射电子源导电膜的膜层结构，包括导电膜，其特征在于，导电膜采用由氧化钯PdO膜(3)和非晶碳膜(4)构成的多层复合膜。
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