[发明专利]薄膜构图方法及制造液晶显示装置的方法有效
| 申请号： | 200810223739.3 | 申请日： | 2008-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101718950A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 闵泰烨;林壮奎;宋省勳;高雪松 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/00;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜构图方法及制造液晶显示装置的方法，该薄膜构图方法包括：步骤1，基板上沉积第一薄膜，并涂布光刻胶；步骤2，采用双调掩模板对光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区域和第三区域；步骤3，对第一薄膜进行过刻，在第三区域去除第一薄膜，并且在第一区域的周边形成过刻区域；步骤4，对光刻胶进行灰化，露出位于第二区域的第一薄膜；步骤5，沉积第二薄膜，在第二区域第一薄膜与第二薄膜接触；步骤6，剥离光刻胶，去除位于第一区域的第二薄膜，并且在第一区域的过刻区域露出基板。该薄膜构图方法采用了双调掩模板，通过剥离工艺和过刻工艺，形成薄膜重叠的区域和薄膜都被去除的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 构图 方法 制造 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜构图方法，其特征在于，包括：步骤1，在基板上沉积第一薄膜，并涂布光刻胶；步骤2，采用双调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域的光刻胶比所述第二区域的光刻胶厚，所述第三区域没有光刻胶；步骤3，对所述第一薄膜进行过刻，在所述第三区域去除所述第一薄膜，并且在所述第一区域的周边形成过刻区域；步骤4，对光刻胶进行灰化，露出位于所述第二区域的所述第一薄膜；步骤5，沉积第二薄膜，在所述第二区域所述第一薄膜与所述第二薄膜接触；步骤6，剥离光刻胶，去除位于所述第一区域的第二薄膜，并且在所述第一区域的过刻区域露出所述基板。
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