[发明专利]一种NandFlash缓冲管理方法无效
| 申请号： | 200810222504.2 | 申请日： | 2008-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101393537A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李栋梁;艾国;游明琦 | 申请（专利权）人： | 北京中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种NandFlash缓冲管理方法通过采用多个缓存提高了读写效率，引入链表数组并且采用双链表嵌套，提高了对缓存单元的访问效率，在数据链表中采用最近最少使用的方法，提高了数据链表的访问效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nandflash 缓冲 管理 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种NandFlash缓冲管理方法，包括：在内存中建立一个与NandFlash物理块地址一一对应的链表数组；在内存中开辟多个缓存单元用于缓存NandFlash中的数据；和根据所述链表数组与多个缓存单元配合对NandFlash进行读写操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中星微电子有限公司，未经北京中星微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810222504.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
