[发明专利]高至低电压电位转换器无效
申请号: | 200810214470.2 | 申请日: | 2008-08-28 |
公开(公告)号: | CN101378257A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 康宗弘;陈忠伟 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种高至低电压电位转换器。高至低电压电位转换器包括高电压单元与低电压单元。高电压单元送输入节点接收输入信号,并且当其接收到位于低电压位准的输入信号时在输出节点输出第一输出信号。低电压单元当高电压单元接收到位于高电压位准的输入信号时在输出节点输出一第二输出信号。本发明揭示的高至低电压电位转换器可在低供应电压情形下快速地转换传送于高电压单元与低电压单元之间的信号的电压电位,也能提高电路的运作效率。 | ||
搜索关键词: | 高至低 电压 电位 转换器 | ||
【主权项】:
1.一种高至低电压电位转换器,其特征在于,所述高至低电压电位转换器包括:高电压单元,其包括第一N型金属氧化物半导体晶体管和第二N型金属氧化物半导体晶体管,其中,第一N型金属氧化物半导体晶体管,具有栅极接收输入信号,其中所述输入信号位于高逻辑电位或者低逻辑电位;以及第二N型金属氧化物半导体晶体管,具有栅极接收与所述输入信号反相的反相输入信号,漏极耦接至输出节点,其中所述第一N型金属氧化物半导体晶体管与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管为输入/输出元件;以及低电压单元,其包括前馈电路和反馈电路,其中,前馈电路,用以根据所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极的电压电位提供输出信号至所述输出节点;以及反馈电路,用以根据所述输出信号修改所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的所述漏极的电压电位,其中所述前馈电路与所述反馈电路是由第一供应电压所供应,其中所述第一供应电压的电压电位低于所述高逻辑电位的电压电位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司,未经联发科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810214470.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种肛肠外科手术用柔性牵引架
- 下一篇:一种高效率神经内科用叩诊锤