[发明专利]N,N’-双(三苯胺基)芴二胺类空穴注入材料的制备及其用途有效
| 申请号： | 200810212016.3 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101671256A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 夏萍芳;高志强;黄文成;陈金鑫;谢国伟 | 申请（专利权）人： | 香港浸会大学 |
| 主分类号： | C07C211/54 | 分类号： | C07C211/54;C07C209/06;H01L51/50;H01L51/54;C09K11/06 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丛 芳;彭晓玲 |
| 地址： | 中国香港九龙塘香*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明涉及通式(I)的N，N’-双(三苯胺基)芴二胺衍生物，其中R1和R2表示C1-C20烷基、苯基或苄基，R1和R2可以相同也可以不同。本发明还涉及该化合物的制备方法，以及该化合物用作有机电致发光器件的空穴注入层材料的用途，以及含该有机空穴注入材料的有机电致发光器件。在有机电致发光器件注入层采用该化合物，既能保证有机材料与电极的良好欧姆接触，有利于空穴的注入，还可提高空穴的传输效率，降低器件的驱动电压，使器件的效率得到提高，且空穴注入材料的厚度不影响器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 苯胺 芴二胺类 空穴 注入 材料 制备 及其 用途 | ||
【主权项】：
1.下述通式(I)的化合物：其中R1和R2为C1-C20烷基、苯基或苄基，R1和R2可以相同也可以不同。
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