[发明专利]精细掩模及使用精细掩模形成掩模图案的方法

摘要

在半导体技术中，本发明公开一种用于半导体的精细掩模及使用该精细掩模形成掩模图案的方法。为了在形成半导体晶片图案中提高线宽分辨率和光学分辨率的精确性，精细掩模包括第一掩模和第二掩模。第一掩模包括第一掩模原始板、在第一掩模原始板上形成的第一光阻挡垫图案、在第一光阻挡垫图案上形成的包括多个第一透光区的第一主图案，以及在第一透光区之间和第一掩模原始板最外部的包括多个相移区的第一子图案。第二掩模包括第二掩模原始板、在第二掩模原始板上形成的第二光阻挡垫图案、在第二光阻挡垫图案上形成的包括多个第二透光区的第二主图案，以及在第二透光区之间的包括多个相移区的第二子图案。

主权项

1.一种形成掩模图案的方法，包括：形成第一掩模，包括在第一掩模原始板上形成第一光阻挡垫图案，在所述第一光阻挡垫图案上形成包括第一透光区的第一主图案，以及在所述第一透光区的相对侧形成包括多个相移区的第一子图案；形成第二掩模，包括在第二掩模原始板上形成第二光阻挡垫图案，在所述第二光阻挡垫图案上形成包括第二透光区的第二主图案，以及在所述第二透光区的相对侧形成包括多个相移区的第二子图案；以及对准并曝光所述第一掩模和所述第二掩模。