[发明专利]用于改进的静电放电保护的方法和设备无效
| 申请号： | 200810210397.1 | 申请日： | 2008-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101359825A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | P·万萨科尔;O·马瑞查尔;B·索尔格洛斯;B·柯宾斯;J·V·D·博特 | 申请（专利权）人： | 沙诺夫公司;沙诺夫欧洲公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02H9/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 党建华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于改进的静电放电保护的方法和设备，具体公开了一种设备，其具有用于保护具有多个电源域的集成电路(IC)的域间静电放电(ESD)保护电路。该保护电路响应ESD事件，在不同的电源域之间提供ESD保护。更具体地，该保护电路包括至少一个连接到一个电源域的箝位，其在ESD事件期间传导电流，从而在两个不同的电源域之间的接口线路中提供额外电流。该额外电流又增加了接口线路上的阻抗元件的电压，从而改进了ESD保护电路的设计余量，并且为IC产品提供了更好的ESD保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 静电 放电 保护 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于保护具有多个电源域的集成电路的静电放电(ESD)保护电路，包括：至少第一MOS晶体管，其连接在第一电压电源线和第一接地电位之间；至少第二MOS晶体管，其连接在第二电压电源线和第一接地电位以及第二接地电位中的一个之间；至少第一ESD箝位，其连接在第一电压电源线和第一接地电位之间；所述至少第一ESD箝位与至少第一MOS晶体管并联布置；至少第二ESD箝位，其连接在第二电压电源线和第一及第二接地电位中的至少一个之间；所述至少一个第二ESD箝位与至少第二MOS晶体管并联布置；至少一个阻抗电路，其位于至少第一MOS晶体管和至少第二MOS晶体管之间，其中，所述至少第一ESD箝位响应ESD事件传导电流并在阻抗电路中提供至少一部分电流。
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