[发明专利]限制电流微分干扰的装置及方法

摘要

本发明提供一种限制di/dt的电路，该di/dt由主开关FET在其关断期间所抵抗电感开关电路产生。该限制di/dt的电路包括：串联主开关FET的辅助电感，其用于感应与di/dt成比例的辅助感应电压；以及与主开关FET并联的辅助FET。该辅助FET的栅极连接所述辅助电感，使栅极电压等于辅助电感电压。当di/dt具有超过预先设定的最大减小率的趋势时，该辅助FET自动产生一辅助电流分量，以抵消所述的di/dt的进一步减小。主开关FET和辅助FET可以形成在同一芯片之上，两者共用源极和漏极。辅助电感作为连接主开关FET源极和主开关相应外部端口之间的固有必要键合线的寄生电感，从而简化封装结构，降低成本。

主权项

1. 一种限制由主开关FET在其非箝制或部分非箝制电感关断期间所产生的电流微分的电路，其特征在于，所述的限制电流微分的电路包括：介入辅助电感，其经由主开关FET的源极串联主开关FET，其用于感应与所述电流微分成比例的辅助感应电压；辅助FET，其与主开关FET并联，所述的辅助FET的栅极连接所述辅助电感的一端，从而使栅极电压等于所述的辅助电感电压，当所述电流微分具有超过预先设定的最大减小率(di/dt)MAX的趋势时，辅助FET自动产生一辅助电流分量，以抵消所述的电流微分的进一步减小；借此将电流微分的最大值限制为(di/dt)MAX。