[发明专利]谐振隧穿结构

摘要

本发明涉及一种谐振隧穿结构。提供一种用于生成具有多个基本振荡频率的振荡的谐振隧穿结构。第一量子阱层具有第二子带(E₂)。第二量子阱层具有第一子带(E₁)和第三子带(E₃)。当没有施加电场时，所述谐振隧穿结构满足“(E_b1，E_b2)＜E₁＜E₂＜E₃”，其中，第一电接触层和第二电接触层相对于载流子的带边沿能量分别由E_b1和E_b2表示。当施加第一电场(V_a)时，由所述第三子带和所述第二子带产生谐振隧穿现象。当施加在极性上与所述第一电场不同的第二电场(V_b)时，由所述第二子带和所述第一子带产生谐振隧穿现象。

主权项

1. 一种谐振隧穿结构，包括：谐振隧穿结构层，其包括至少三个隧道势垒层；各自具有载流子的第一电接触层和第二电接触层，其中，所述第一电接触层、所述谐振隧穿结构层和所述第二电接触层按第一电接触层、谐振隧穿结构层和第二电接触层的顺序而被布置，其中，所述谐振隧穿结构层包括第一子带、第二子带和第三子带，所述第一子带、所述第二子带和所述第三子带相对于载流子分别具有能量E1、E2和E3，以及其中，所述谐振隧穿结构是这样的：其中，所述第一电接触层和第二电接触层相对于载流子的带边沿能量分别由Eb1和Eb2表示，当没有将电场施加到所述谐振隧穿结构时，满足(Eb1，Eb2)当将第一电场施加到所述谐振隧穿结构时，由所述第三子带和所述第二子带产生谐振隧穿现象；以及当将在极性上与所述第一电场不同的第二电场施加到所述谐振隧穿结构时，由所述第二子带和所述第一子带产生谐振隧穿现象。