[发明专利]位置传感器和偏磁场生成装置有效
| 申请号： | 200810167926.4 | 申请日： | 2008-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101419049A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 中川信洋;中村薰一;久须美雅昭 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G01B7/00 | 分类号： | G01B7/00;G01D5/12 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了位置传感器和偏磁场生成装置，其中，该位置传感器包括：磁记录介质，包括两个增量层和一个绝对层，绝对层设置在增量层之间，每层都具有记录在其中的磁信息；以及磁检测部，包括与磁记录介质的各层相对的三个磁阻效应装置，相对于磁记录介质在各层的延伸方向上移动，并用于通过磁阻效应装置检测各层中的磁信息。对于增量层，最大程度地改善了返回误差和内插，并且对于绝对层，可以高精度地执行磁信息检测。 | ||
| 搜索关键词： | 位置 传感器 磁场 生成 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种位置传感器，包括：磁记录介质，包括两个增量层和一个绝对层，所述绝对层设置在所述增量层之间，各层都具有记录在其中的磁信息；以及磁检测装置，包括与所述磁记录介质的各层相对的三个磁阻效应装置，相对于所述磁记录介质在各层的延伸方向上移动，并用于通过所述磁阻效应装置检测各层中的所述磁信息，其中，所述磁检测装置具有与所述磁阻效应装置相对设置并用于生成与所述磁阻效应装置相对应的偏磁场的偏磁场生成装置。
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