[发明专利]基于片式压敏电阻的纳秒级静电放电电流试验设备无效
| 申请号： | 200810150209.0 | 申请日： | 2008-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101320068A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 姚学玲;陈景亮;孙伟 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R19/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张震国 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 基于片式压敏电阻的纳秒级静电放电电流试验设备，采用由片式压敏电阻的静电脉冲形成电路、静电脉冲控制电路、测量夹具、测试电路及计算机管理系统。能够对片式压敏电阻进行0－30kV的单次、规定频率0－50Hz和连续等模式的上升时间为1～2ns的静电放电试验，可以设置放电电压、放电频率、放电次数以及选择试验模式等多项功能。采用鼠笼式快速电流传感器和示波器与工业控制计算机组成的自动测试系统，并采用可视化化的编程环境(如LabView，VB，VC等)，完成片式压敏电阻静电放电试验的数据管理、波形存储于分析、数据查询及报表输出等多项功能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 压敏电阻 纳秒级 静电 放电 电流 试验 设备 | ||
【主权项】：
1、基于片式压敏电阻的纳秒级静电放电电流试验设备，其特征在于：包括计算机管理系统(1)以及由计算机管理系统(1)控制的纳秒级静电放电电流测试设备的控制电路(2)和纳秒级静电放电电流测试设备电流检测电路(3)，纳秒级静电放电控制电路(2)与纳秒级静电电流形成电路(4)相连，表面贴装压敏电阻(5)分别与纳秒级静电放电电流形成电路(4)及纳秒级静电放电试验电流检测电路(3)相连；所说的纳秒级静电放电电流形成电路(4)包括高频充电电源(6)以及与高频充电电源(6)相连接的储能电容(7)和形成电阻(8)，储能电容(7)通过形成电阻(8)与表面贴装压敏电阻(5)相连，且在储能电容(7)与表面贴装压敏电阻(5)之间还连接有电流传感器(9)，该电流传感器(9)与纳秒级静电放电试验电流检测电路(3)相连。
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