[发明专利]一种原位构建微纳器件的方法无效

专利信息
申请号: 200810143760.2 申请日: 2008-11-28
公开(公告)号: CN101462693A 公开(公告)日: 2009-06-24
发明(设计)人: 李秋红;赵亨;王太宏 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 代理人: 马 强
地址: 410082*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种微纳器件的原位构建方法,特别是利用无掩模光刻技术原位构建微纳器件的方法,它是将纳米材料置于电极之间并且与电极相连的一种新方法。其工艺过程为:纳米材料在基底上的分布、匀胶、通过无掩模光刻机定位纳米材料、原位设计曝光图形并曝光、显影、定影、金属层的沉积、剥离,最后形成纳米材料位于电极之下并与电极相连的原型微纳器件结构。此方法特别适合于具有复杂纳米结构的器件的原位构建。此器可以进一步构建其它结构的微纳器件,包括纳米材料场效应晶体管、微纳传感器、振荡器和相移器等器件。该方法具有原位制备的优点,成本低、工艺简单、速度快、对器件损伤小,是一种有着广泛应用前景的微纳器件单元的构建方法。
搜索关键词: 一种 原位 构建 器件 方法
【主权项】:
1、一种微纳器件的原位构建方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将纳米材料分布在衬底基片上;(2)在基片上涂胶,包括匀胶;(3)运用无掩模光刻机的显微系统查找纳米材料的位置,再运用无掩模光刻机原位设计待曝光电极的图形,使纳米材料连接于电极图形之间;(4)运用无掩模光刻机原位曝光,然后显影、定影;(5)在基片上沉积金属电极层、剥离,最后得到纳米材料连接于电极之间并位于电极之下的微纳器件。
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