[发明专利]接地电位交越检测与电源电位交越检测的检测电路

摘要

本发明是关于接地电位交越检测与电源电位交越检测的检测电路，所述的检测电路用以检测一通过接地电位的交越输入信号，所述的电路包含二个PMOS晶体管以及二个NMOS晶体管，且其相互连接的，PMOS晶体管具有连接至一电源电位的源极，相连接在一起的栅极，以及第二PMOS晶体管的漏极，第一NMOS晶体管具有一源极，做为一输入端以接收一输入信号，以及具有一漏极，做为一输出端，且所述的第二NMOS晶体管具有一源极接地，二NMOS晶体管的栅极相连接在一起，且共同与一偏电压相连接；若输入端设置于第一PMOS晶体管的源极，且第一NMOS晶体管的源极是接地的，则所述的电路亦能用来检测一通过电源电位的交越输入信号。本发明的电路仅由四个晶体管所构成大大减少电流消耗。

主权项

1.一种检测电路，用以检测交越一指定电压的输入信号，其特征在于，所述的检测电路包含：一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管以及一第二NMOS晶体管，其中所述的第一PMOS晶体管以及所述的第二PMOS晶体管皆具有一栅极，所述的二栅极皆与所述的第二PMOS晶体管以及所述的第二NMOS晶体管的漏极相连接，且所述的第一NMOS晶体管以及所述的第二NMOS晶体管亦皆具有一栅极，所述的二栅极皆连接于一BIAS电压，所述的第二NMOS晶体管的源极接地，而所述的第二PMOS晶体管的源极连接于一电源电位，所述的第一PMOS晶体管以及所述的第一NMOS晶体管的漏极连接于一输出端；以及当所述的指定电压为接地电位时，所述的第一NMOS晶体管的源极连接于所述的输入信号，且所述的第一PMOS晶体管的源极连接于所述的电源电位；当所述的指定电压为电源电位时，所述的第一NMOS晶体管的源极接地，且第一PMOS晶体管的源极连接于所述的输入信号。