[发明专利]一种基于氧化处理分离碳纳米管阵列与基板的方法有效
| 申请号： | 200810119666.3 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101348248A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 魏飞;张强;黄佳琦;朱万诚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市100*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于氧化处理从基板表面分离碳纳米管阵列的方法，该方法采用如二氧化碳，水蒸汽等作为弱氧化剂，在碳纳米管阵列生长过程中或生长结束后对碳纳米管阵列进行氧化处理，进而通过气流吹扫或机械剥离的方法使碳纳米管阵列从基板表面分离。与常规化学气相沉积制备方法相比，采用弱氧化气氛处理的碳纳米管阵列与基板结合作用变弱，化解了碳纳米管阵列与基板分离的难题，既可以保护阵列在分离时免受破坏，又可以通过弱氧化去除阵列中的无定型碳等杂质，提高了阵列质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 处理 分离 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化处理从基板表面分离碳纳米管阵列的方法，其特征在于该方法包括下列步骤：1)采用化学气相沉积方法制备碳纳米管阵列，在碳纳米管阵列生长过程中或生长结束后向反应器内通入二氧化碳、水蒸气、氧气、空气或它们的混合物，作为弱氧化剂，用于削弱碳纳米管阵列与基板的结合；其中通入氧气或空气，或氧气与空气的混合气体时，反应区温度为400～800℃；通入二氧化碳或水蒸气，或二氧化碳与水蒸气的混合物时，反应区温度为600～1000℃；2)通过物理方法使碳纳米管阵列从基板表面分离。
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