[发明专利]一种免硫化的磁化铅酸蓄电池制造方法无效

专利信息
申请号: 200810110032.1 申请日: 2008-05-31
公开(公告)号: CN101304099A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 郝保学 申请(专利权)人: 四平大吉强磁滤清器有限公司;郝保学
主分类号: H01M10/12 分类号: H01M10/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 136001吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种免硫化磁化铅酸蓄电池制造方法,涉及蓄电池领域,其包括现有的各种铅酸蓄电池,其特征在于:在新设计生产的蓄电池上,根据需要设有至少一个磁场源,或在已生产后蓄电池上加装至少一个磁场源,在磁场源外侧设有磁场屏蔽层,磁场源优选设置在电池底部,应确保磁力线的方向与极板上电流方向平行。使用时,由于在极板间迁移的带电离子及电解质的载体水分子团迁移轨迹垂直磁场,会在磁场作用下改变其运动方向及被切割成小分子团,增加了离子活力,提高了电解质的扩散性、渗透性及对流酸铅晶体的溶解性,避免了重硫化现象产生,提高电化学反应速率及电池容量,延长使用寿命,降低使用费用,减少重复生产数量,对节能环保起到了至关重要的作用。
搜索关键词: 一种 硫化 磁化 蓄电池 制造 方法
【主权项】:
1、一种免硫化的磁化铅酸蓄电池制造方法,涉及电源蓄电池领域,其包括现有的各种铅酸蓄电池,其特征在于:在新设计生产的蓄电池外壳、密封盖或与外壳相连的单元组隔上,根据实际需要设有至少一个磁场源,或在已生产后的蓄电池上加装至少一个磁场源,为了避免电解质腐蚀磁场源,在磁场源与电解质之间,设有防腐隔离层,并在磁场源上除向蓄电池内放射磁场以外的其它面上,设有铁磁性或超导体的磁场屏蔽层。
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