[发明专利]单晶的制造方法有效
| 申请号： | 200810108276.6 | 申请日： | 2008-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101319350A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 大久保正道 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供可以稳定地抽拉完全没有位错、并具有良好晶体形状的单晶的单晶制造方法，其包括驱动晶体驱动装置14使晶种30浸在硅熔体3中，和将晶体驱动装置14和坩埚驱动装置15控制在预定条件下以进行抽拉晶种的步骤。在该抽拉步骤中，驱动水平磁场装置16将磁场以水平方向施加到坩埚4中硅熔体3的内部。水平磁场装置16将所施加磁场的磁场中心线1固定在离硅熔体3的液面3a的不变位置上。更具体地，通过水平磁场位置调整装置19预先在垂直方向进行水平磁场装置16的位置调整，使所施加磁场的磁场轴1固定在低于硅熔体3的液面3a多于50mm，并且等于或高于收尾时离残留硅熔体液面深度L的不变距离的位置上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在切克劳斯基方法中将水平磁场施加到容纳在坩埚中的原料熔体上、由原料熔体制造单晶的方法，其中：将所述水平磁场的磁场中心设定在低于所容纳原料熔体的液面多于50mm、并且等于或小于在完成所制造单晶的直体部分抽拉时离残留在坩埚中的原料熔体液面深度L的距离的位置。
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