[发明专利]微型均匀磁场产生器无效
| 申请号： | 200810096621.9 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101571578A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张烈铮;陈政宏;蔡依蒨;汪瑞民 | 申请（专利权）人： | 台湾磁原科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/383 | 分类号： | G01R33/383;H01F7/02;A61B5/055 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 | 代理人： | 张恒康 |
| 地址： | 中国台湾新竹市光复路二*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微型均匀磁场产生器，包括一上盖，一下盖，一第一磁铁单元和一第二磁铁单元，其特征在于：所述上盖由高导磁率物质制成；所述下盖由高导磁率物质制成；所述第一磁铁单元和所述第二磁铁单元，分别连接至所述上盖与所述下盖的两侧，用以产生一磁场，所述第一磁铁单元及所述第二磁铁单元的磁场方向相同，且所述上盖与所述下盖其中心部分为等距以引导所述磁场在所述上盖与所述下盖之间产生一均匀磁场空间，并形成屏蔽效应。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 均匀 磁场 产生器 | ||
【主权项】：
1.一种微型均匀磁场产生器，包括一上盖，一下盖，一第一磁铁单元和一第二磁铁单元，其特征在于：所述上盖由高导磁率物质制成；所述下盖由高导磁率物质制成；所述第一磁铁单元和所述第二磁铁单元，分别连接至所述上盖与所述下盖的两侧，用以产生一磁场，所述第一磁铁单元及所述第二磁铁单元的磁场方向相同，且所述上盖与所述下盖其中心部分为等距以引导所述磁场在所述上盖与所述下盖之间产生一均匀磁场空间，并形成屏蔽效应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾磁原科技股份有限公司，未经台湾磁原科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810096621.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
