[发明专利]磁头分离辅助装置及利用该装置制造磁头的方法无效
申请号: | 200810096519.9 | 申请日: | 2008-05-12 |
公开(公告)号: | CN101582265A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 赵世兴;近藤昌弘;宁方毅;中田刚;刘成昌 | 申请(专利权)人: | 新科实业有限公司 |
主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 中国香港新界沙田香*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于将磁头从治具上分离并收容的磁头分离辅助装置,包括一分离托架,所述分离托架顶面形成若干以矩阵排列的磁头收容坑,每一列上的相邻磁头收容坑之间以隔墙隔开,使隔墙与磁头收容坑一一对应,其中,每一隔墙构成其对应磁头收容坑内壁的一侧面为斜面,使隔墙形成上细下粗的结构,同一列上的隔墙的斜面均向同侧倾斜,而相邻两列隔墙的斜面所在的平面相互交叉,使每一行上的两相邻隔墙彼此形成该两相邻隔墙所对应两相邻磁头收容坑的侧壁。本发明同时揭露了利用上述磁头分离辅助装置制造磁头的方法。 | ||
搜索关键词: | 磁头 分离 辅助 装置 利用 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于将磁头从治具上分离并收容的磁头分离辅助装置,包括一分离托架,所述分离托架顶面形成若干以矩阵排列的磁头收容坑,每一列上的相邻磁头收容坑之间以隔墙隔开,使隔墙与磁头收容坑一一对应,其特征在于:每一隔墙构成其对应磁头收容坑内壁的一侧面为斜面,使隔墙形成上细下粗的结构,同一列上的隔墙的斜面均向同侧倾斜,而相邻两列隔墙的斜面所在的平面相互交叉,使每一行上的两相邻隔墙彼此形成该两相邻隔墙所对应两相邻磁头收容坑的侧壁。
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