[发明专利]监控光刻工艺的方法与监控标记有效
| 申请号： | 200810093317.9 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101561633A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 吴健民;陈建志 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种监控光刻工艺的方法与一种监控标记，其提供对于光刻工艺的对焦位置具高敏感度的监控标记，并在光刻工艺中同时形成该监控标记，通过量测该监控标记经光刻后图案尺寸的变异，以即时监控光刻工艺的对焦位置。该监控标记具有至少一组直线末端图案，并包含：至少一直线图案；以及至少一基准图案，设于该直线图案的一末端的一侧，该基准图案距离该直线图案的该末端具有一线距。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 光刻 工艺 方法 标记 | ||
【主权项】：
1、一种监控光刻工艺的方法，其包含：(a)提供一光掩模，其包含一监控标记，该监控标记包含至少一组直线末端图案；(b)提供一光刻系统，该光刻系统可进行一光刻工艺，以将该光掩模上的图案转移至一基底；(c)提供该光刻工艺的一工艺条件数据库，其包含该直线末端图案经过该光刻工艺后发生的直线末端紧缩尺寸与该光刻系统的对焦位置的一相对关系；(d)进行该光刻工艺，将该光掩模上的图案转移至该基底上而形成至少一光刻标记图案对应于该监控标记；(e)量测该光刻标记图案的一直线末端紧缩尺寸，以得到一量测结果；以及(f)将该量测结果与该工艺条件数据库进行比对，以监控该光刻工艺的对焦位置是否发生偏差。
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