[发明专利]防护薄膜无效
| 申请号： | 200810083165.4 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101281362A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 白崎享 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种防护薄膜，即使将该防护薄膜贴附在掩模上，也不会损害到掩模的平坦度。本发明的防护薄膜的特征是，该防护薄膜的框架的掩模贴附侧的平坦度在30μm以下，且该防护薄膜的框架的防护薄膜侧的平坦度在15μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 防护 薄膜 | ||
【主权项】：
1、一种防护薄膜，其用于半导体光刻，其特征在于，该防护薄膜框架的贴附于掩模的一侧的平坦度在30μm以下，并且，该防护薄膜框架的防护薄膜侧的平坦度在15μm以下。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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