[发明专利]一种电流内插结构的Flash ADC有效
| 申请号： | 200810067538.9 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101594148A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 杨忠添;刘敬波;胡江鸣;方尚侠;刘茂生;石岭 | 申请（专利权）人： | 深圳艾科创新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/36 | 分类号： | H03M1/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057广东省深圳市南山区高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电流内插结构的Flash ADC，包括分压电阻网络、比较器阵列和编码器，其中输入的模拟信号和分压电阻网络输出的参考电压序列输入至比较器阵列得到比较输出码，该比较输出码经编码器得到输出的数字信号；所述比较器阵列包括预放大器阵列、内插锁存器阵列和锁存器阵列，其中预放大器阵列并行排列，每个预放大器和一锁存器串连产生一比较输出值，每相邻两个预放大器之间插入一内插锁存器产生另一比较输出值，所有的所述比较输出值构成所述比较器阵列的比较输出码。本发明所述电流内插结构Flash ADC利用了原有结构中器件的特性，采用内插的方法减少了器件个数，从而节省了芯片面积，降低了芯片功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 内插 结构 flash adc | ||
【主权项】：
1、一种电流内插结构的FlashADC，包括分压电阻网络、比较器阵列和编码器，其中输入的模拟信号和分压电阻网络输出的参考电压序列输入至比较器阵列得到比较输出码，该比较输出码经编码器得到输出的数字信号，其特征在于，所述比较器阵列包括预放大器阵列、内插锁存器阵列和锁存器阵列，其中预放大器阵列并行排列，每个预放大器和一锁存器串连产生一比较输出值，每相邻两个预放大器之间插入一内插锁存器产生另一比较输出值，所有的所述比较输出值组成所述比较器阵列的比较输出码。
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