[发明专利]一种连续绕卷式磁控溅射法制造的陶瓷高阻隔膜装置无效
申请号: | 200810064558.0 | 申请日: | 2008-05-23 |
公开(公告)号: | CN101353783A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 孙智慧;林晶;刘壮;高德 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨商业大学 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/35;C23C14/08 |
代理公司: | 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 刘娅 |
地址: | 150028黑龙江省哈尔滨*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明提供了一种连续绕卷式磁控溅射法制造的陶瓷高阻隔膜装置。它包括沉积室、放卷装置、收卷装置、射频交流电源以及设置在沉积室外部的蝶阀、机械泵、罗茨泵和分子泵,沉积室中间装有镀膜辊,下部装有长方形硅靶,沉积室的两端设有封头,在沉积室上至少设有一个观察窗,所述的沉积室的下部通过蝶阀和管道分别连接有机械泵、罗茨泵和分子泵。本发明的特点在于能连续生产,能较好的解决钟罩式或立式沉积装置不能连续生产、生产能力低下、每次都要重新抽真空的问题,利用长方形极靶可充分利用沉积室空间,便于大规模产业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 连续 绕卷式 磁控溅射 法制 陶瓷 阻隔 装置 | ||
【主权项】:
1、一种连续绕卷式磁控溅射法制造的陶瓷高阻隔膜装置,它包括沉积室、放卷装置、收卷装置、射频交流电源,其特征在于它还包括设置在沉积室外部的蝶阀、机械泵、罗茨泵和分子泵,沉积室中间装有镀膜辊,下部装有长方形硅靶,沉积室的两端设有封头,在沉积室上至少设有一个观察窗,所述的沉积室的下部通过蝶阀和管道分别连接有机械泵、罗茨泵和分子泵。
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