[发明专利]一种无机分子簇单源前体合成CdS纳米线的方法无效
| 申请号： | 200810064236.6 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101254941A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡伟;李志国;隋解和 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 单军 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种无机分子簇单源前体合成CdS纳米线的方法，它涉及一种无机分子簇单源前体合成CdS纳米线的方法。它解决了现有CdS纳米线制备方法需要大型设备、制备温度高、后续处理工艺繁琐、纳米线容易被污染或损伤性能、尺寸和形貌难于控制或者工艺条件苛刻，难于操作，难以工业化大规模实施的问题。制备方法：一、将十六烷基胺真空脱气；二、降低温度、在氮气氛条件下将(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]加入，然后升温、并保温反应；三、降低混合物温度；四、分离、沉淀、干燥。本发明直接用无机分子簇单源前体合成CdS纳米线方法无需大型设备，操作安全、简便、易行、且成本低，便于控制CdS纳米线的尺寸、形貌和性能，易于工业化大规模生产，可重复性好，可一次性进行大剂量CdS纳米线的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 子簇 单源前体 合成 cds 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种无机分子簇单源前体合成CdS纳米线的方法，其特征在于无机分子簇单源前体合成CdS纳米线的方法按以下步骤进行：一、将25g十六烷基胺在120±5℃的条件下真空脱气2h；二、降低十六烷基胺温度至80±2℃，在氮气氛条件下将1.2g(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]加入十六烷基胺，然后以2℃/min的速度升温至200～240℃，并保持200～240℃5h；三、降低混合物温度至60±2℃；四、用无水甲醇离心分离、沉淀物再真空干燥，即得到CdS纳米线。
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