[发明专利]一种原位纳米复合Mg－Si－Sn基热电材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810059852.2 | 申请日： | 2008-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101226983A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 赵新兵;张胜楠;贺健;张倩;朱铁军;T·.M·崔特 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L35/14 | 分类号： | H01L35/14;H01L35/34;C22C1/05 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原位纳米复合Mg－Si－Sn基热电材料及其制备方法。该材料的化学组成为Mg2－yLaySi0.5－xSn0.5+x，x＝0.02～0.15，y＝0～0.1，结构为材料中的富Sn晶粒中弥散了富Si相的纳米颗粒。采用原位反应得到具有弥散量子点的复合热电材料，制备方法简单，可控性好。本发明的原位纳米复合Mg－Si－Sn基热电材料具有较好的热电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 纳米 复合 mg si sn 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种原位纳米复合Mg-Si-Sn基热电材料，其特征在于该材料的化学组成为Mg2-yLaySi0.5-xSn0.5+x，x＝0.02～0.15，y＝0～0.1，结构为材料中的富Sn晶粒中弥散了富Si相的纳米颗粒。
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