[发明专利]基于FP激光器注入锁定的光生微波单片光子集成器件

摘要

本发明公开了属于光电子器件技术领域的一种基于FP激光器注入锁定的光生微波单片光子集成器件，具体地说是一种利用FP激光器双纵模注入锁定产生高频微波的单片光子集成器件，在同一芯片上集成一个DFB激光器和一个FP激光器，对DFB激光器进行直接调制或者外调制，它的两个调制边带去锁定FP激光器的两个相邻纵模，被锁定的两个相邻纵模进行拍差，通过光探测器进行接收，就可以获得高频微波。本发明将相关半导体光电子器件实现了单片集成，集成度高、结构新颖，既能提高性能又能大大减少器件的体积，有利于提高系统的稳定性；并且制作工艺简单、成本低、成品率高，适于大规模生产和应用，在未来的高速通讯领域具有广泛的应用前景。

主权项

1.一种基于FP激光器注入锁定的光生微波单片光子集成器件，其特征在于，在同一芯片上集成一个DFB激光器段(22)和一个FP激光器段(23)，具体实现方案为：在N型衬底(11)上依次生长如下外延层：下包层(12)、下波导层(13)、多量子阱有源层(14)、光栅层(15)、上波导层(16)、上包层(17)、欧姆接触层(19)；整个器件分为两段，一段为DFB激光器段(22)，另一段作为FP激光器段(23)；两段之间有一段区域去除下包层(12)以上的部分形成隔离槽(24)，形成该DFB激光器段(22)和FP激光器段(23)的电隔离，同时形成FP激光器的一个反射端面；光栅层(15)上在生长过程中制作出光栅结构，并去除FP激光器段(23)区域内的光栅；整个器件采用脊波导(21)结构，外延层生长完成后在上包层(17)上制作出脊波导(21)，并在脊波导(21)两侧用SiO2绝缘层(18)来填平，然后腐蚀掉脊顶上的SiO2；在N型衬底(11)和欧姆接触层(19)上分别镀有N型电极(10)和P型电极(20)。