[发明专利]用PVD法进行纳米级通孔填充铝的装置和工艺方法有效
| 申请号： | 200810054068.2 | 申请日： | 2008-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101643891A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 吉和林 | 申请（专利权）人： | 吉和林 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/54 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 | 代理人： | 赵 敬 |
| 地址： | 210024江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用PVD法进行纳米级通孔填充铝的装置和工艺方法，采用射频电源与物理气相沉积(PVD)的高频等离子体法，在一个PVD腔室内，靶材上与晶片分别加上射频电源，将Al填充到小尺寸的半导体芯片的通孔中，成为半导体层与层之间的导电材料。本发明可以克服传统工艺只能达到0.13微米以上的缺陷，实现将铝的应用延伸到特征线宽≤0.1μm，深度与宽度比(h/CD)≥6。本发明降低了设备运行温度，节约水电、耗材，大大提高生产设备的利用率和晶片产率。可以用于半导体集成电路芯片层间导电的通孔，接触孔、沟槽等填充铝等导电物质，还可以用于线宽小于30纳米的金属门电路上用的铝的淀积。并特别指出同样方法适合所有低熔点的技术材料。 | ||
| 搜索关键词： | pvd 进行 纳米 级通孔 填充 装置 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用PVD法进行纳米级通孔填充铝的装置，包括PVD腔室，直流电源，磁铁，晶片基座，靶材，靶材置于PVD腔室的顶部，晶片基座置于PVD腔室底部，靶材与晶片基座相对，其特征在于该装置所述的靶材上安装射频电源，所述的晶片上安装射频电源。
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