[发明专利]用微米级模板构筑亚微米或纳米级模板的方法无效
申请号: | 200810051345.4 | 申请日: | 2008-10-28 |
公开(公告)号: | CN101414119A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 吕男;高立国;王伟峰;郝娟媛;迟力峰 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/26 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张景林;刘喜生 |
地址: | 130023吉林省*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及一种用微米级模板构筑亚微米或纳米级模板的方法。其是利用纳米压印技术,通过控制聚合物薄膜的厚度和所用模板图案尺寸的比例关系,在聚合物表面制作具有边缘效应结构的双脊结构图案,利用等离子刻蚀技术把这种双脊结构图案转移到基底上;或者直接用聚二甲基硅氧烷(PDMS)翻制边缘结构来构筑软模板;也可以直接用模板压印紫外曝光胶(mr-NIL6000)得到具有边缘效应的结构,紫外曝光固化后,利用其形成的图案做模板进行纳米压印,从而实现了用微米级模板构筑亚微米或纳米级的模板。利用本方法制作的边缘结构模板,具有成本低廉、工艺简单、耗时短、分辨率高的特点,可以制作大面积的亚微米或纳米级模板。 | ||
搜索关键词: | 微米 模板 构筑 纳米 方法 | ||
【主权项】:
1、用微米级模板构筑亚微米或纳米级模板的方法,其步骤如下:对基底表面进行清洁处理,在基底表面旋涂50~300nm厚的聚合物薄膜,利用纳米压印技术在聚合物薄膜的表面构筑亚微米或纳米级的双脊结构图案;然后再利用等离子体刻蚀除去聚合物残留层,留下亚微米或纳米级聚合物双脊结构图案,并以双脊结构图案为阻挡层,进一步利用等离子体刻蚀基底,将该聚合物双脊结构图案转移到基底上,从而得到亚微米或纳米级的基底材料的模板。
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