[发明专利]吸收辐射掺硼金刚石复合膜及其制备方法无效
申请号: | 200810050499.1 | 申请日: | 2008-03-18 |
公开(公告)号: | CN101246049A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 梁中翥;梁静秋;王维彪;方伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | G01J5/02 | 分类号: | G01J5/02 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人: | 赵炳仁 |
地址: | 130033吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于绝对测辐射热计中热交换膜片及其制备的方法,特别是一种吸收辐射掺硼金刚石复合膜及其制备方法。本发明吸收辐射掺硼金刚石复合膜,是由作为热沉材料的纯金刚石片层和作为光辐射吸收材料的黑色掺硼金刚石膜层复合而成。其制备方法,是先通过一次化学气相沉积制备热沉金刚石片,再在金刚石片上通过二次化学气相沉积黑色掺硼金刚石膜层。本发明吸收辐射掺硼金刚石复合膜具有抗热冲击能力强、对辐射的吸收率较高,达99%~99.2%,且长期稳定不变的优点;热沉材料和吸收辐射材料表面粘附力强。因此可提高辐射热计的测量精度和灵敏度,测量周期变短;提高了绝对测辐射热计在卫星上的工作条件下的适应性。 | ||
搜索关键词: | 吸收 辐射 金刚石 复合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种吸收辐射掺硼金刚石复合膜,其特征在于,由作为热沉材料的纯金刚石片层和作为光辐射吸收材料的黑色掺硼金刚石膜层复合而成,所述金刚石片层是热导率≥15W/K·cm、电阻率为1013~1015Ω·cm的无色透明膜片;所述黑色掺硼金刚石膜层是由硼原子均匀分布在金刚石晶体中形成,黑色掺硼金刚石膜的表面以(111)晶面为主的微纳尺寸金刚石晶粒组成,其热导率为10~14W/K·cm、电阻率为103~108Ω·cm,粗糙度为5nm~30μm,黑色掺硼金刚石的晶粒直径为1nm~30μm,晶体形状为八面体,晶粒间形成凹坑。
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