[发明专利]镁橄榄石－C合成的MgO－SiC－C质材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810048257.9 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101306952A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 祝洪喜;邓承继;白晨 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/66 | 分类号： | C04B35/66 |
| 代理公司： | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人： | 樊戎 |
| 地址： | 430081*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以镁橄榄石和C合成的MgO－SiC－C质材料及其制备方法。所采用的技术方案是：按摩尔比先将1～4mol的镁橄榄石矿粉和3～6mol的C粉混合，外加上述混合料质量百分含量4～10％的结合剂，搅拌或混碾10～30分钟，经压制成型后干燥。然后在还原气氛下烧结，烧结温度为1450～1700℃，保温时间为2～8小时，得MgO－SiC－C质复合材料。本发明所采用的工业炭粉原料来源广泛、镁橄榄石矿的资源丰富，不仅可有效解决镁砂资源紧缺的问题，且生产成本低。所制备的MgO－SiC－C质复合材料，可保持材料优良的性能，能减缓材料的蚀损，使用寿命延长。 | ||
| 搜索关键词： | 橄榄石 合成 mgo sic 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种镁橄榄石-C合成的MgO-SiC-C质材料的制备方法，其特征在于按摩尔比先将1～4mol的镁橄榄石矿粉和3～6mol的C粉混合，外加上述混合料质量百分含量4～10％的结合剂，搅拌或混碾10～30分钟，经压制成型后干燥，然后在还原气氛下烧结，烧结温度为1450～1700℃，保温时间为2～8小时。
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