[发明专利]二硅化钼基复合结构材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种以MoSi₂为基体，以Si₃N₄颗粒和SiC晶须为强化相的高温结构材料及制备工艺。本发明是将体积分数为20～50vol％的Si₃N₄颗粒和SiC晶须的混合强化相添加到MoSi₂粉末中，在1500～1700℃条件下热压30～45分钟制成MoSi₂－Si₃N₄/SiC复合高温结构材料。混合强韧化相的添加抑制了烧结时MoSi₂晶粒的长大，同时Si₃N₄和SiC的裂纹反射，使材料的的强度和韧性得到提高。Si₃N₄和SiC能起“锚住”晶粒的、抑制SiO₂玻璃相生成的作用，使材料的高温抗蠕变性能得到提高。本发明克服了以往二硅化钼材料室温下易断，高温抗蠕变性能差的缺点，提供了一种制备二硅化钼复合高温结构材料的方法。

主权项

1、一种二硅化钼基复合结构材料，以MoSi2为基体，其特征是：Si3N4 颗粒和SiC晶须含量分别占材料的10～30vol％，Si3N4颗粒和SiC晶须的总含量占材料的20～50vol％，MoSi2为余量。