[发明专利]直接用硫酸铝制取超细晶体α－氧化铝的生产工艺有效
| 申请号： | 200810029525.2 | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101327944A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 孙志昂;贺广浩;肖志业 | 申请（专利权）人： | 孙志昂;贺广浩;肖志业 |
| 主分类号： | C01F7/32 | 分类号： | C01F7/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450000河南省郑州*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直接用硫酸铝制取超细晶体α－氧化铝的生产工艺，其生产工艺是：将硫酸铝粉碎后加热脱除附着水和结晶水，加热温度为300～600℃；将脱水后的产物在脱硫隧道中以电加热的方式密闭脱除硫分，加热温度为700～900℃；将脱硫后的产物在高温炉中加热进行转相煅烧，煅烧温度为1100～1400℃；最后将产物破碎分散即得到超细晶体a－氧化铝；将脱硫产生的三氧化硫气体进行回收制酸。本发明生产工艺简单、生产成本低、可规模化生产，原料储量丰富易得，采用本发明生产工艺制得的α－氧化铝晶体颗粒及其细微和均一，具有天然的超细晶体粒径，且粒度分布集中。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 硫酸铝 制取 晶体 氧化铝 生产工艺 | ||
【主权项】：
1、一种直接用硫酸铝制取超细晶体α-氧化铝的生产工艺，其特征在于：所述生产工艺包括下述步骤：(1)将硫酸铝粉碎后加热脱除硫酸铝中的附着水和结晶水，加热温度为300～600℃；(2)将第(1)步得到的产物在脱硫隧道中以电加热的方式密闭脱除硫分，加热温度为700～900℃；(3)将第(2)步得到的产物在高温炉中进行转相煅烧，煅烧温度为1100～1400℃；(4)将第(3)步得到的产物破碎分散。(5)将脱硫产生的三氧化硫气体进行回收制酸。
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