[发明专利]一种结构紧凑的多功能磁控离子镀弧源装置无效

专利信息
申请号: 200810011537.2 申请日: 2008-05-23
公开(公告)号: CN101358330A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: 肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;赵彦辉;杨英;闻立时 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人: 张志伟
地址: 110016辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种结构简单紧凑的多功能多控制模式磁控离子镀弧源装置,磁控离子镀弧源装置的靶材底座后面设有由小型直流电机或者交流电机驱动的旋转磁场发生装置,电机驱动固定在电机转轴上的磁轭带动合理分布在磁轭上的永磁体转动,不同的永磁体分布便产生不同位形结构的旋转磁场,实现多控制模式的目的。本发明利用简单紧凑的弧源结构和不同的永磁体分布方式,产生不同位形的动态旋转磁场,用以改善弧斑的放电形式,控制弧斑的运动轨迹,提高靶材利用率和刻蚀均匀性,减少或抑制靶材大颗粒的发射,用以制备高质量的薄膜,达到在一个弧源装置上实现多种形式的弧斑控制,满足不同方面的需求,拓展电弧离子镀的应用范围。
搜索关键词: 一种 结构 紧凑 多功能 离子镀 装置
【主权项】:
1、一种结构紧凑的多功能磁控离子镀弧源装置,其特征在于:所述磁控离子镀弧源装置设有旋转磁场发生装置、靶材、靶材底座,靶材安装于靶材底座上,在靶材底座的后面设有旋转磁场发生装置,旋转磁场发生装置由驱动电机、固定在电机转轴上的磁轭、分布在磁轭上的永磁体组成。
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