[发明专利]一种用于磁控溅射的高纯镍靶材无效
| 申请号： | 200810010809.7 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101550536A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 李洪锡 | 申请（专利权）人： | 沈阳金纳新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人： | 任玉龙 |
| 地址： | 110179辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于磁控溅射的高纯镍靶材，在平面靶的溅射面或者背面表面带有均匀形状或者非均匀形状环形溅射环，溅射环典型的形状包括矩形、圆角矩形、八边矩形、双半圆矩形、六边矩形、椭圆形；沟槽位于靶材背后磁铁的正上方位置，沟槽的典型形状为矩形槽、U型槽、V型槽、上矩形下梯形槽、上宽下窄的梯形槽，或者上宽下窄双矩形槽；溅射环外部沟槽是台阶形状。本发明的优点：本发明克服磁控溅射铁磁性靶材的磁屏蔽问题、侵蚀后磁场分布不均问题和横向侵蚀不均靶材利用率低的问题。克服有磁性纯镍靶材厚度限制；大大降低了纯镍靶材磁场随磁控溅射过程变化的问题，改善镀膜的均一性；均衡了溅射环的刻蚀深度，大大提高了纯镍靶材利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 磁控溅射 高纯 镍靶材 | ||
【主权项】：
1、一种用于磁控溅射的高纯镍靶材，其特征在于：所述的用于磁控溅射的高纯镍靶材为，在平面靶表面带有均匀的和非均匀环形溅射环，溅射环外环和内环的沟槽位于靶材背后磁铁的正上方位置，沟槽的具体形状为矩形槽、U型槽、V型槽、上矩形下梯形槽、上宽下窄的梯形槽，或者上宽下窄双矩形槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳金纳新材料有限公司，未经沈阳金纳新材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810010809.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
