[发明专利]通过对掩膜拐角圆化效果进行建模来改进工艺模型准确度

摘要

一个实施例提供用于确定对掩膜拐角圆化(MCR)效果进行建模的改进的工艺模型的系统和技术。在操作期间，系统可以接收掩膜布局和通过将光刻工艺应用于掩膜布局来生成的工艺数据。系统也可以接收可以包含成组MCR分量的未校准的工艺模型。接着，系统可以标识掩膜布局中的成组拐角。系统然后可以在成组拐角的邻近处修改掩膜布局以获得修改的掩膜布局。备选地，系统可以确定成组掩膜层。接着，系统可以通过使用修改的掩膜布局和/或成组掩膜层以及工艺数据校准未校准的工艺模型来确定改进的工艺模型。

主权项

1.一种用于确定对掩膜拐角圆化效果进行建模的改进的工艺模型的方法，所述方法包括：接收掩膜布局；接收通过将光刻工艺应用于所述掩膜布局而生成的工艺数据；接收未校准的工艺模型；标识所述掩膜布局中的成组拐角；在所述成组拐角的邻近处修改所述掩膜布局，以获得修改的掩膜布局，其中对所述掩膜布局的修改与掩膜拐角圆化效果有关；以及通过使用所述修改的掩膜布局和所述工艺数据校准所述未校准的工艺模型，确定所述改进的工艺模型。