[发明专利]氢传感器有效
| 申请号： | 200780018403.7 | 申请日： | 2007-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101449147A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 内山直树;松本博幸;中林正刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社渥美精机 |
| 主分类号： | G01N21/77 | 分类号： | G01N21/77;G01N31/00;G01N31/22;G01N21/47 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氢传感器，在树脂等基板的表面形成薄膜层，进一步在该薄膜层的表面形成催化剂层。当该催化剂层与泄漏的氢气接触时则通过其催化剂作用而使薄膜层迅速地进行氢化作用，并使薄膜层的光反射率变化。该氢传感器具备：在基板与薄膜层之间或在催化剂层表面的任一侧或两侧形成的保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种氢传感器，具有：基板、在该基板上形成的薄膜层、形成在该薄膜层的表面且利用环境中含有的氢气使所述薄膜层进行氢化作用而使所述薄膜层的光反射率变化的催化剂层，所述氢传感器的特征在于，具备：在所述基板与所述薄膜层之间或在所述催化剂层表面的任一侧或两侧形成的保护膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社渥美精机，未经株式会社渥美精机许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780018403.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：分析装置
- 下一篇：用于对对象进行温度和发光组合空间成像的成像设备
