[实用新型]低频晶振起振电路

摘要

本实用新型涉及一种基于低频晶振的起振电路，属于集成电路领域。本实用新型首先将基本pierce振荡电路中的三极管用MOS管代替；其次，本实用新型还利用电容设计了一种变形的反相器结构，作为振荡电路的增益级，并利用电容两端电压受上下MOS管的限制变化幅度较小的原理实现了电路的快速起振。本实用新型提供的低频起振电路，具有快速起振，低功耗，能够方便的集成在芯片内部的优点。

主权项

1.一种低频晶振起振电路，包括由选频电容C1、C2、晶振X1构成的回路，电源端接在选频电容C1、C2之间，其特征在于，晶振X1的一端与PMOS管M2的栅极相连，另一端通过限流电阻R3分别与PMOS管M1的源极和NMOS管M3的漏极相连，反馈电阻R2接在PMOS管M1的栅极和源极之间，PMOS管M1的栅极与NMOS管M3的栅极之间接有电容C3，NMOS管M3的栅极还与NMOS管M4的栅极和NMOS管M7的栅极相连，电阻R1、电阻R4、电阻R5、电阻R6分别接在PMOS管M1、NMOS管M3、PMOS管M6、NMOS管M7的源极上，NMOS管M4的源极与NMOS管M5的漏极相连，PMOS管M1的栅极与PMOS管M6的栅极相连，PMOS管M6的源极与电源端之间接有电阻R5，PMOS管M6的源极与NMOS管M7的漏极相连，其引出线作为低频晶振起振电路的输出端。