[发明专利]对由图案分成的特征进行基于模式的OPC的方法和设备有效
申请号: | 200710305183.8 | 申请日: | 2007-09-13 |
公开(公告)号: | CN101276141A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 徐端夫·斯蒂芬;朴正哲;道格拉斯·范登布罗埃克;陈剑方 | 申请(专利权)人: | ASML蒙片工具有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20;H01L21/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种用于将包含待成像的特征的目标电路图案分解成为多个图案的方法。该工艺包括以下步骤:将待印制的特征分离成第一图案和第二图案;在第一图案和第二图案上执行第一光学邻近校正工艺;确定第一图案和第二图案的成像性能;确定第一图案和第一图案的成像性能之间的第一误差,以及确定第二图案和第二图案的成像性能之间的第二误差;利用第一误差调整第一图案以产生修正的第一图案;利用第二误差调整第二图案以产生修正的第二图案;以及对修正的第一图案和修正的第二图案应用第二光学邻近校正工艺。 | ||
搜索关键词: | 图案 分成 特征 进行 基于 模式 opc 方法 设备 | ||
【主权项】:
1. 一种用于将包括待印制到晶片上的特征的目标电路图案分解成为多个图案的方法,包括步骤:将待印制的所述特征分离成第一图案和第二图案;在所述第一图案和所述第二图案上,执行第一光学邻近校正工艺;确定所述第一图案和所述第二图案的成像性能;确定在所述第一图案和所述第一图案的所述成像性能之间的第一误差,以及确定在所述第二图案与所述第二图案的所述成像性能之间的第二误差;利用所述第一误差调整所述第一图案,以产生修正的第一图案;利用所述第二误差调整所述第二图案,以产生修正的第二图案;以及对所述修正的第一图案和所述修正的第二图案应用第二光学邻近校正工艺。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备