[发明专利]一种磁控溅射Co-Cr-Ta合金靶的制造方法有效

专利信息
申请号: 200710303821.2 申请日: 2007-12-26
公开(公告)号: CN101195882A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 于宏新;周武平;穆健刚;李群;姚伟;唐培新;鲍学进;单秉权;王勤 申请(专利权)人: 安泰科技股份有限公司
主分类号: C22C19/07 分类号: C22C19/07;C22C1/02;C22F1/10
代理公司: 北京中安信知识产权代理事务所 代理人: 金向荣
地址: 100081*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于冶金制备领域,特别涉及一种磁控溅射Co-Cr-Ta合金靶的制造方法。该方法以99.95%的电解钴,99.9%的电解铬,99.9%的钽为原料,经真空熔炼,铸锭、锻造,轧制,热处理(或经真空熔炼,铸锭,轧制,热处理),然后机加工成成品。合金成分at%范围为:Co 73-88%,Cr 8-25%,Ta 2-6%;在熔炼过程中浇注温度在熔点以上50℃~150℃,锻造温度在1000℃~1200℃,轧制温度为1100℃~ 1300℃,热处理温度为700℃~1000℃,保温4~10小时,然后淬火。本发明与现有技术相比具有成品成分控制精确,分布均匀,成品的纯度高,密度大、磁透率高的优点。
搜索关键词: 一种 磁控溅射 co cr ta 合金 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁控溅射Co-Cr-Ta合金靶的制造方法,其特征在于工艺流程为用真空感应熔炼工艺制备Co-Cr-Ta合金,即要通过配料、熔炼、铸锭、锻造、轧制、热处理,然后机加工制成成品,具体步骤如下:A、配料:按配料比例称取电解Co、Cr和Ta金属块。原材料纯度在99.9%以上,合金成分wt%范围为:Co 73-88%,Cr 8-25%,Ta 2-6%;B、熔炼、铸锭:将称好的金属块放入真空感应熔炼炉坩埚中,按通常的冶炼工艺冶炼,精炼时间为9~13分钟,当钢水温度达到液相线以上50~150℃时进行浇铸;C、锻造:将熔炼所得锭坯放在马弗炉中,在1000~1200℃保温1~1.5小时后锻造成规定尺寸的板坯;D、轧制:将上述锻造后的板坯放入轧钢专用的马弗炉中,在1100~1300℃保温1~1.5小时后轧制成规定尺寸的板坯;E、热处理:将轧制好的板坯放入热处理炉中,热处理炉的均温区一定要大于处理产品的长度,在700~1000℃保温4~10小时;然后迅速取出放入冰盐水中进行淬火;F、机加工:将热处理后的Co-Cr-Ta合金板坯按尺寸要求机加工,先线切割成规定尺寸的圆片,再用车床车成符合尺寸精度的Co-Cr-Ta合金靶材。
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