[发明专利]光刻器件制造方法、光刻单元和计算机程序产品无效

专利信息
申请号: 200710199655.6 申请日: 2007-12-11
公开(公告)号: CN101201554A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: 克恩·万英根谢诺;温蒂·弗朗西斯卡·约翰娜·杰豪尔万安塞姆;约翰尼斯·安娜·卡丹克尔斯;帕特里克·翁 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/00;H01L21/027
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王文生
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 提供一种用于印刷密集线的双重图案化工艺。在第一步骤中,线的第一半密集图案被印刷在覆盖设置有底部抗反射涂料的衬底的第一抗蚀剂层上。在第二步骤中,线的第二半密集图案被印刷在设置在所清除的区域上的第二抗蚀剂层上。第一和第二半密集线图在隔行交错的位置上定位,以提供线和间隔所需的密集图案。在对第一抗蚀剂进行显影之后和将第二抗蚀剂提供给衬底之前,底部抗反射涂料的表面调整被应用到在第一抗蚀剂材料的线之间的所清除的区域上。表面调整步骤设置用于增强第二抗蚀剂的特征在所清除的区域的表面上的附着力。
搜索关键词: 光刻 器件 制造 方法 单元 计算机 程序 产品
【主权项】:
1.一种光刻器件制造方法,包括步骤:以包括从表面突出的并被表面的未覆盖部分分隔的第一和第二特征段的图案,对第一辐射敏感材料层进行图案化,所述第一辐射敏感材料层被设置成至少部分地覆盖衬底表面;将第二辐射敏感材料层提供给表面的未覆盖部分;以包括相对于第一和第二特征段设置在隔行交错位置上并且从表面的未覆盖部分突出的第三特征段的图案,对第二辐射敏感材料层进行图案化,所述第三特征段被设置用于结合第一和第二特征段、以提供所需图案的一部分,其中所述方法还包括步骤:在提供第二辐射敏感材料层之前和对第一辐射敏感材料层进行图案化之后,将表面调整工艺应用到表面的未覆盖部分,以增强第三特征段至表面上的附着力。
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