[发明专利]单壁碳纳米管的电化学处理方法、单壁碳纳米管及器件无效
| 申请号： | 200710196651.2 | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101451273A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 梶浦尚志;李勇明;魏大程;刘云圻;曹灵超;付磊;李祥龙;王钰;朱道本 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C30B33/08 | 分类号： | C30B33/08;C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种单壁碳纳米管(SWNT)的电化学处理方法、单壁碳纳米管及器件。在该选择性处理SWNT的方法中，使用SWNT为阳极，施加刻蚀启始电压以上的电压，在电解液中对SWNT进行电化学刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 单壁碳 纳米 电化学 处理 方法 器件 | ||
【主权项】：
1、一种选择性处理单壁碳纳米管的方法，包括：使用所述单壁碳纳米管为阳极，施加在刻蚀启始电压以上的电压，在电解液中对所述单壁碳纳米管进行电化学刻蚀。
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