[发明专利]保护槽型等离子体电极的方法无效
| 申请号： | 200710191834.5 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101197233A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 高霞;郑姚生;朱立锋;王保平;张兴宁 | 申请（专利权）人： | 南京华显高科有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J17/04 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 夏平;瞿网兰 |
| 地址： | 210061江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种保护槽型等离子体电极的方法，其特征是：控制FPC/COF对位标志与电极引出端介质层之间的距离，并使介质层下端与对位标志间的关系满足下列条件：设ACF溢胶的尺寸为a，FPC/COF上端与对位标志间的距离为b，对位标志与介质层之间的距离为c，则c＜a+b；在槽型等离子体前后基板的电极引出端设计辅助引出线，辅助引出线只是在面板的引出端，并不与面板内的有效电极相连。本发明可使得有效电极在绑定后被溢胶部分充分覆盖，避免了环境对裸露的有效电极的损害。提高了PDP的成品率与使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 等离子体 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种保护槽型等离子体电极的方法，其特征是：A、控制FPC/COF对位标志与电极引出端介质层之间的距离，并使介质层下端与对位标志间的关系满足下列条件：设ACF溢胶的尺寸为a，FPC/COF上端与对位标志间的距离为b，对位标志与介质层之间的距离为c，则c＜a+b；B、在槽型等离子体前后基板的电极引出端设计辅助引出线，辅助引出线只是在面板的引出端，并不与面板内的有效电极相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京华显高科有限公司，未经南京华显高科有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710191834.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
