[发明专利]阵列式静电保护元件的制程与结构无效
| 申请号： | 200710181859.7 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101414660A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 黄建豪;冯辉明;巫宜燐;苏圣富 | 申请（专利权）人： | 佳邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;H01G13/00;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种阵列式静电保护元件的制程，整个制程均于真空环境下作业，包括步骤如下：提供一第一绝缘层，于该第一绝缘层形成至少一导电图案层；于导电图案层的两侧之间切割一沟槽，沟槽切开导电图案层且延伸至第一绝缘层内部；提供一第二绝缘层，于第二绝缘层钻设至少一盲孔；将第二绝缘层具有盲孔的一侧与该第一绝缘层具有沟槽的一侧相对地压合粘结，沟槽与盲孔相连通；以及于第二绝缘层、导电图案层及第一绝缘层的相对二侧分别形成至少一第一侧边导电层及至少一第二侧边导电层；通过以上的设计，可以有效地减少静电保护元件所占的面积，进而可以有效整合更多种功能的被动元件于电子产品中。本发明另提供一种阵列式静电保护元件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 静电 保护 元件 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种阵列式静电保护元件的制程，其特征在于，整个制程均于真空环境下作业，包括步骤如下：提供一第一绝缘层，于该第一绝缘层形成至少一导电图案层；于该至少一导电图案层的相对两侧之间切割一沟槽，该沟槽切开该至少一导电图案层且延伸至该第一绝缘层内；提供一第二绝缘层，于该第二绝缘层钻设至少一盲孔；将该第二绝缘层具有盲孔的一侧与该第一绝缘层具有沟槽的一侧相对地压合粘结，该沟槽与该盲孔相连通；以及于该第二绝缘层、该至少一导电图案层及该第一绝缘层的相对二侧分别形成至少一第一侧边导电层及至少一第二侧边导电层。
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