[发明专利]一种降低SRAM功耗的静态译码方法在审
| 申请号： | 200710178292.8 | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101452741A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 戴春蕾 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 对于非接触式智能卡，工作所需要的能量来自于电磁场，芯片工作所消耗的功耗大小直接影响非接触智能卡的工作距离，从而影响实际应用，因此降低芯片的功耗是非接触智能卡芯片设计的关键之一。由于非接触式智能卡(尤其是CPU卡)芯片会使用SRAM存储器，因此低功耗SRAM存储器设计对提升非接触CPU卡性能是非常重要的。SRAM电路包括时序产生控制电路，译码器电路，存储阵列电路和IO接口电路组成。其中，译码器电路对降低SRAM整个功耗起到了非常重要的作用。本发明提出了一种没有毛刺的全静态译码方法来降低SRAM存储器的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 sram 功耗 静态 译码 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种降低SRAM功耗的静态译码方法，其特征是在静态译码器的基础上增加地址采样器，通过采用双轨单向翻转采样器对地址采样，实现无毛刺的译码输出，降低SRAM功耗。
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