[发明专利]基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐负磁导率器件及制备方法有效
申请号: | 200710176728.X | 申请日: | 2007-11-02 |
公开(公告)号: | CN101150218A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 周济;赵乾;杜波;康雷;赵宏杰;李勃 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01P1/217 | 分类号: | H01P1/217;H01P1/215 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北京市100*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐负磁导率器件及制备方法,该器件由多块层叠的聚四氟乙烯模板,铁电陶瓷颗粒和温控装置组成;每块聚四氟乙烯模板上设有圆孔阵列,铁电陶瓷颗粒嵌入圆孔内。该器件能使电磁波在某一频段发生很强的磁谐振,并且在磁谐振附近具有各向同性负磁导率效应,利用温度对铁电陶瓷颗粒介电常数的调节特性来实现其负磁导率的可调控性。本发明为左手材料赋予了智能特性,并将应用于可调带通滤波器、可调负折射率平板透镜、可调隐身器件等光电器件和通讯领域。 | ||
搜索关键词: | 基于 陶瓷 颗粒 温度 调谐 磁导率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件,其特征在于:所述器件由多块层叠的聚四氟乙烯模板,铁电陶瓷颗粒和温控装置组成;每块聚四氟乙烯模板上设有圆孔阵列,所述的铁电陶瓷颗粒嵌入圆孔内;该器件利用温度对铁电陶瓷颗粒介电常数的调节特性来实现所述各向同性负磁导率的可调控性。
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