[发明专利]一类锑化钼基热电材料的制备方法有效
| 申请号： | 200710173109.5 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101217178A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 陈立东;史啸亚;柏胜强;裴艳中;吴汀 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;C22C1/02;C22C1/04;B22F9/04;B22F3/16;B22F3/105 |
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| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及掺杂的锑化钼基热电材料及制备方法，其特征在于采用电弧熔炼和放电等离子快速烧结方法相结合。所提供的制备方法为电弧熔炼和放电等离子快速烧结，先用Sb与Te/Se熔融形成Sb2Te3/Sb2Se3后再与化学计量比的Mo、Sb进行电弧熔融，最后引入放电等离子快速烧结技术制得致密的单相材料，本发明提供了一种快速、简单、有效的锑化钼基热电材料的制备方法，具有良好的实用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一类 锑化钼基 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一类锑化钼基热电材料的制备方法，其特征在于采用电弧熔炼和放电等离子快速烧结方法相结合。
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