[发明专利]用于使用EM仿真来补偿RFIC的性能退化的方法无效
| 申请号： | 200710166493.6 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101187954A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 金维新;李昌锡;杨昌洙;李光斗;金学善 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;尚志峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种用于使用EM仿真来补偿射频集成电路(RFIC)的性能退化的方法。该方法包括以下步骤：(a)提取RFIC的设计规范以设计和仿真电路；(b)设计所设计和仿真的电路的布局，并通过使用所设计的布局来提取布局参数；(c)简化布局并执行EM仿真以提取性能参数；(d)通过使用所提取的布局参数和性能参数来执行电路仿真，并判断电路仿真的结果是否满足RFIC的设计规范；(e)当判断电路仿真的结果满足RFIC的设计规范时，执行电路制造处理；以及(f)当判断电路仿真的结果不满足RFIC的设计规范时，部分地去除布局并执行EM仿真，从而分析并补偿性能退化区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 em 仿真 补偿 rfic 性能 退化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于使用EM仿真来补偿射频集成电路(RFIC)的性能退化的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提取所述RFIC的设计规范以设计和仿真电路；(b)设计所设计和仿真的电路的布局，并通过使用所设计的布局来提取布局参数；(c)简化所述布局并执行所述EM仿真以提取性能参数；(d)通过使用所提取的布局参数和性能参数来执行电路仿真，并判断所述电路仿真的结果是否满足所述RFIC的设计规范；(e)当判断所述电路仿真的结果满足所述RFIC的设计规范时，执行电路制造处理；以及(f)当判断所述电路仿真的结果不满足所述RFIC的设计规范时，部分地去除所述布局并执行所述EM仿真，从而分析和补偿性能退化区域。
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