[发明专利]光蚀刻用防护膜组件无效
| 申请号： | 200710154225.2 | 申请日： | 2007-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101144975A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 白崎享 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明旨在不取决于防护膜框架之端面的平滑度而实现贴附有防护膜组件之掩模表面的平滑性。依本发明，于半导体光蚀刻制程所使用之防护膜组件中，其特征为：供作将防护膜组件贴附到掩模之掩模粘接剂的厚度在0.4mm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 防护 组件 | ||
【主权项】：
1.一种光蚀刻用防护膜组件，其用于半导体光蚀刻工序，该组件包括：防护膜框架、贴合在该防护膜框架一端面上的防护膜以及涂布于该防护膜框架的相反端面上的压敏粘接剂层，其特征在于：该压敏粘接剂层的厚度为0.4mm以上。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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