[发明专利]有二次电子发射层的表面光源器件及制造方法和背光单元无效
| 申请号： | 200710142575.7 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101137256A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 郑京泽;李起渊;尹馨彬;李根奭;李东熙 | 申请（专利权）人： | 三星康宁株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/14 | 分类号： | H05B33/14;H05B33/12;H05B33/10;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周艳玲;宋志强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种用于表面光源器件的衬底，其包括：在衬底表面上形成的包括晶体氧化镁(MgO)粉末的第一二次电子发射层。还提供一种表面光源器件，其包括：以预定距离彼此面对的第一衬底210和第二衬底220，在这两个衬底之间形成放电空间，以及向放电空间施加放电电压的电极，其中在第一衬底和第二衬底的至少一个的表面上形成包括晶体MgO粉末的第一二次电子发射层211。较佳地，晶体MgO粉末通过研磨MgO溅射靶获得。提供一种背光单元，其包括：表面光源器件，其包括：形成在第一衬底和第二衬底之间的放电空间，向放电空间施加放电电压的电极，以及位于第一衬底和第二衬底的至少一个的表面上的包括晶体MgO粉末的第一二次电子发射层；容纳表面光源器件的壳体；以及向电极施加放电电压的逆变器。较佳地，在衬底的表面下形成与二次电子发射材料进行离子交换的第二二次电子发射层212。 | ||
| 搜索关键词： | 二次电子 发射 表面 光源 器件 制造 方法 背光 单元 | ||
【主权项】：
1.一种用于表面光源器件的衬底，包括：形成在所述衬底表面上的包括晶体氧化镁(MgO)粉末的第一二次电子发射层。
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